Poudre sphérique de nitrure d'aluminium (AlN) de 30 μm - Charge conductrice thermique de qualité électronique 170 W/mK

En tant que charge conductrice thermique，Charge de nitrure d'aluminium a conductivité thermique élevée Et l'isolation électrique, ajouter des microsphères de céramique AlN dans la résine ou le plastique peut améliorer considérablement la conductivité thermique. Les caractéristiques de la microsphère céramique AlN :1. Sphérique/quasi-sphérique2. Volume de remplissage élevé3. Liquidité élevée4. Distribution étroite de la taille des particules5. Conductivité thermique élevée6. Haute isolation

Le Remplisseur monocristallin de nitrure d'aluminium (AlN) de 5 µm est un matériau avancé de haute qualité spécialement conçu pour les applications nécessitant une conductivité thermique, une isolation électrique et une résistance mécanique supérieures. Avec une taille de particule de seulement 5 µm, cette poudre offre une excellente dispersion et est idéale pour une utilisation dans les matériaux composites, améliorant les propriétés de gestion thermique des dispositifs électroniques et des emballages de semi-conducteurs. La structure monocristalline de la poudre AlN garantit une pureté élevée, une fiabilité et des performances exceptionnelles dans des environnements exigeants. Il est largement utilisé dans des industries telles que l’électronique, la technologie LED et les solutions de dissipation thermique.

Xiamen Juci Technology fabrique charge de nitrure d'aluminium de différentes tailles de particules, la plus petite taille de particule étant de 1 micron. Le Remplisseur AlN monocristallin 1um possède des cristaux primaires fins, une sphéricité élevée, un débit rapide et une faible résistance thermique, ce qui les rend idéaux pour se mélanger à des particules plus grosses afin d'améliorer la conductivité thermique des matériaux d'interface thermique.

Nitrure en aluminium poudre de conducteur thermique a une conductivité thermique extrêmement élevée et peut transférer efficacement la chaleur. En ajoutant remplissage de nitrure d'aluminium Pour les matériaux composites, la conductivité thermique du composite peut être considérablement améliorée, améliorant ainsi sa capacité de dissipation thermique. Par exemple, dans les matériaux d'emballage électronique, la poudre de conducteur thermique au nitrure d'aluminium peut augmenter la conductivité thermique de l'emballage, dissiper efficacement la chaleur et empêcher les dispositifs électroniques de subir une dégradation des performances en raison de l'élévation de la température, d'assurer la fiabilité et la stabilité des produits électroniques.

Remplissage thermique en nitrure d'aluminium peut être ajouté aux résines ou aux plastiques pour améliorer leur conductivité thermique. Il peut également être utilisé comme charge dans les adhésifs thermoconducteurs, de la graisse thermique et d'autres matériaux, améliorant la conductivité thermique des matériaux composites lorsqu'ils sont incorporés dans des matrices polymères. Ces matériaux composites sont largement utilisés dans les produits électroniques, l'éclairage LED, les alimentations électriques et d'autres domaines.

Remplissage thermique en nitrure d'aluminium (AlN) Il s'agit d'un matériau céramique haute performance largement utilisé dans les applications de gestion thermique grâce à ses propriétés exceptionnelles. Voici une description détaillée de ses fonctions : 1. Dissipation thermique (fonction principale) Conductivité thermique élevée (~170-200 W/mK) – Transfère efficacement la chaleur des points chauds dans les composants électroniques (par exemple, processeurs, modules d'alimentation, LED), ce qui rend la poudre AlN idéale pour charges à haute conductivité thermique. Réduit la résistance thermique – Améliore le flux de chaleur dans les composites (par exemple, matériaux d'interface thermique (TIM), résines époxy), améliorant les performances des solutions de refroidissement électronique. 2. Isolation électrique Rigidité diélectrique (> 15 kV/mm) – Empêche les courts-circuits électriques tout en conduisant la chaleur, ce qui est essentiel pour les applications haute tension (par exemple, l'électronique de puissance, les batteries de véhicules électriques), où charge céramique AlN assure la fiabilité. 3. Adaptation de la dilatation thermique CTE (coefficient de dilatation thermique) ~ 4,5 ppm/K – Correspond étroitement au silicium et aux semi-conducteurs, minimisant les contraintes dans les interfaces collées (par exemple, l'emballage des puces), ce qui Remplissage monocristallin d'AlN un choix privilégié pour la gestion thermique des semi-conducteurs. En incorporant une charge d'AlN ultra-pure ou une poudre d'AlN à l'échelle nanométrique, les fabricants peuvent optimiser la conductivité thermique tout en maintenant l'isolation électrique, ce qui en fait un choix de premier ordre pour matériaux céramiques à gestion thermique avancée.

30 μm Microsphères céramiques en nitrure d'aluminium (AlN) Les oxydes de silicium (ou oxydes de silicium) sont des matériaux inorganiques non métalliques hautes performances présentant une conductivité thermique, une isolation électrique, une résistance aux hautes températures et une stabilité chimique exceptionnelles. Leur structure sphérique micrométrique ouvre de vastes perspectives d'application dans les domaines du conditionnement électronique avancé, du renforcement des composites, des matériaux d'interface thermique et bien d'autres. Principales caractéristiques des microsphères céramiques en nitrure d'aluminium (AlN) de 30 μm : Conductivité thermique élevée – Avec une conductivité thermique de 170 à 200 W/(m·K), les microsphères d'AlN améliorent considérablement dissipation thermique dans les matériaux d'interface thermique (TIM) et emballage électronique. Excellente isolation électrique – Leur résistivité ultra-élevée (> 10¹⁴ Ω·cm) les rend charges d'AlN idéal pour les applications haute tension, les substrats PCB et les revêtements isolants. Résistance aux hautes températures – Le point de fusion de 2200 °C assure la stabilité dans les environnements extrêmes, adapté à l'aérospatiale, à l'électronique de puissance et aux dissipateurs thermiques LED. Faible CTE (4,5×10⁻⁶/°C) – Correspond aux matériaux semi-conducteurs (Si, GaN, SiC), réduisant ainsi les contraintes thermiques dans les boîtiers de puces et les modules d'alimentation. Haute pureté et stabilité chimique – Résistant à la corrosion et aux acides/alcalis, parfait pour les applications industrielles difficiles et les environnements chimiques. Structure sphérique uniforme – La distribution étroite des particules (D50≈30μm) garantit une fluidité supérieure et une dispersion uniforme dans les polymères, les composites et les matériaux d'impression 3D.