Microsphères céramiques en nitrure d'aluminium (AlN)

50 μm microsphères céramiques en nitrure d'aluminium (AlN) zone mastic thermique haute performance Conçues pour améliorer les propriétés de gestion thermique des matériaux composites. Dotées d'une excellente conductivité thermique (~170-200 W/mK) et d'une isolation électrique supérieure, les microsphères d'AlN constituent un choix idéal pour les emballages électroniques, les adhésifs et plastiques thermoconducteurs, ainsi que pour la dissipation thermique des LED haute puissance. Caractéristiques principales : Conductivité thermique élevée : améliore efficacement l'efficacité du transfert de chaleur dans les composites, idéal pour les applications de refroidissement critiques. Taille uniforme des particules : les microsphères de 50 µm assurent une dispersion uniforme, optimisant les performances mécaniques et thermiques. Isolation électrique : Sa résistivité élevée le rend adapté aux exigences d'isolation en électronique. Résistance aux hautes températures et à l'oxydation : Stabilité exceptionnelle pour les environnements à haute température. Léger : la faible densité réduit le poids global du produit.

30 μm Microsphères céramiques en nitrure d'aluminium (AlN) Les oxydes de silicium (ou oxydes de silicium) sont des matériaux inorganiques non métalliques hautes performances présentant une conductivité thermique, une isolation électrique, une résistance aux hautes températures et une stabilité chimique exceptionnelles. Leur structure sphérique micrométrique ouvre de vastes perspectives d'application dans les domaines du conditionnement électronique avancé, du renforcement des composites, des matériaux d'interface thermique et bien d'autres. Principales caractéristiques des microsphères céramiques en nitrure d'aluminium (AlN) de 30 μm : Conductivité thermique élevée – Avec une conductivité thermique de 170 à 200 W/(m·K), les microsphères d'AlN améliorent considérablement dissipation thermique dans les matériaux d'interface thermique (TIM) et emballage électronique. Excellente isolation électrique – Leur résistivité ultra-élevée (> 10¹⁴ Ω·cm) les rend charges d'AlN idéal pour les applications haute tension, les substrats PCB et les revêtements isolants. Résistance aux hautes températures – Le point de fusion de 2200 °C assure la stabilité dans les environnements extrêmes, adapté à l'aérospatiale, à l'électronique de puissance et aux dissipateurs thermiques LED. Faible CTE (4,5×10⁻⁶/°C) – Correspond aux matériaux semi-conducteurs (Si, GaN, SiC), réduisant ainsi les contraintes thermiques dans les boîtiers de puces et les modules d'alimentation. Haute pureté et stabilité chimique – Résistant à la corrosion et aux acides/alcalis, parfait pour les applications industrielles difficiles et les environnements chimiques. Structure sphérique uniforme – La distribution étroite des particules (D50≈30μm) garantit une fluidité supérieure et une dispersion uniforme dans les polymères, les composites et les matériaux d'impression 3D.