matériaux d'interface thermique (TIM)

Le 80μm Charge de nitrure d'aluminium (AlN), développé par Xiamen Juci Technology, est un matériau céramique haute performance conçu pour l'emballage électronique, matériaux d'interface thermique (TIM)et composites à haute conductivité thermique. Doté d'une distribution granulométrique contrôlée avec précision (D50 ≈ 80 μm), d'une pureté ultra-élevée (≥ 99 %) et d'une conductivité thermique exceptionnelle (170-200 W/(m·K)), il améliore considérablement l'efficacité de la gestion thermique des matrices polymères, métalliques ou céramiques. Il est idéal pour les applications exigeantes de dissipation thermique dans les communications 5G, les véhicules à énergies nouvelles, l'électronique de puissance, etc. Caractéristiques principales : 1、Conductivité thermique exceptionnelle Conductivité thermique théorique de 170–200 W/(m·K), répondant efficacement aux défis de gestion thermique dans les appareils électroniques. 2. Contrôle précis de la taille des particules Une distribution uniforme avec une taille de particule moyenne (D50) de 80 µm assure une excellente dispersibilité et compatibilité avec les matrices de résine, de métal ou de céramique. 3、Haute pureté, faible teneur en oxygène Pureté ≥ 99%, teneur en oxygène ≤ 1%, garantissant la stabilité chimique et l'isolation électrique pour les applications haute fréquence et haute tension. 4、Faible constante diélectrique et perte Faible constante diélectrique (ε ≈ 8,8) et perte diélectrique minimale (tanδ < 0,001), idéal pour le conditionnement de circuits haute fréquence. 5、Propriétés mécaniques exceptionnelles La dureté élevée et la résistance à l’usure améliorent la résistance mécanique des composites.

30 μm Microsphères céramiques en nitrure d'aluminium (AlN) Les oxydes de silicium (ou oxydes de silicium) sont des matériaux inorganiques non métalliques hautes performances présentant une conductivité thermique, une isolation électrique, une résistance aux hautes températures et une stabilité chimique exceptionnelles. Leur structure sphérique micrométrique ouvre de vastes perspectives d'application dans les domaines du conditionnement électronique avancé, du renforcement des composites, des matériaux d'interface thermique et bien d'autres. Principales caractéristiques des microsphères céramiques en nitrure d'aluminium (AlN) de 30 μm : Conductivité thermique élevée – Avec une conductivité thermique de 170 à 200 W/(m·K), les microsphères d'AlN améliorent considérablement dissipation thermique dans les matériaux d'interface thermique (TIM) et emballage électronique. Excellente isolation électrique – Leur résistivité ultra-élevée (> 10¹⁴ Ω·cm) les rend charges d'AlN idéal pour les applications haute tension, les substrats PCB et les revêtements isolants. Résistance aux hautes températures – Le point de fusion de 2200 °C assure la stabilité dans les environnements extrêmes, adapté à l'aérospatiale, à l'électronique de puissance et aux dissipateurs thermiques LED. Faible CTE (4,5×10⁻⁶/°C) – Correspond aux matériaux semi-conducteurs (Si, GaN, SiC), réduisant ainsi les contraintes thermiques dans les boîtiers de puces et les modules d'alimentation. Haute pureté et stabilité chimique – Résistant à la corrosion et aux acides/alcalis, parfait pour les applications industrielles difficiles et les environnements chimiques. Structure sphérique uniforme – La distribution étroite des particules (D50≈30μm) garantit une fluidité supérieure et une dispersion uniforme dans les polymères, les composites et les matériaux d'impression 3D.

Remplissage thermique en nitrure d'aluminium (AlN) Il s'agit d'un matériau céramique haute performance largement utilisé dans les applications de gestion thermique grâce à ses propriétés exceptionnelles. Voici une description détaillée de ses fonctions : 1. Dissipation thermique (fonction principale) Conductivité thermique élevée (~170-200 W/mK) – Transfère efficacement la chaleur des points chauds dans les composants électroniques (par exemple, processeurs, modules d'alimentation, LED), ce qui rend la poudre AlN idéale pour charges à haute conductivité thermique. Réduit la résistance thermique – Améliore le flux de chaleur dans les composites (par exemple, matériaux d'interface thermique (TIM), résines époxy), améliorant les performances des solutions de refroidissement électronique. 2. Isolation électrique Rigidité diélectrique (> 15 kV/mm) – Empêche les courts-circuits électriques tout en conduisant la chaleur, ce qui est essentiel pour les applications haute tension (par exemple, l'électronique de puissance, les batteries de véhicules électriques), où charge céramique AlN assure la fiabilité. 3. Adaptation de la dilatation thermique CTE (coefficient de dilatation thermique) ~ 4,5 ppm/K – Correspond étroitement au silicium et aux semi-conducteurs, minimisant les contraintes dans les interfaces collées (par exemple, l'emballage des puces), ce qui Remplissage monocristallin d'AlN un choix privilégié pour la gestion thermique des semi-conducteurs. En incorporant une charge d'AlN ultra-pure ou une poudre d'AlN à l'échelle nanométrique, les fabricants peuvent optimiser la conductivité thermique tout en maintenant l'isolation électrique, ce qui en fait un choix de premier ordre pour matériaux céramiques à gestion thermique avancée.